国产91精品高清一区二区三区_99中文字幕_视频一区二区中文字幕_久久精品国产精品亚洲人人

什麽是光伏效應?P-N結電流方程
深圳99中文字幕太陽能技術支持：    什麽是光伏效應?光生伏特效應簡稱為光伏效應，指光照使不均勻半導體或半導體與金屬組合的不同部位之間產生電位差的現象。 產生這種電位差的機理有好幾種，主要的一種是由於阻擋層的存在。什麽是P-N結電流方程？以下以P-N結為例說明。 
熱平衡態下的P-N結同質結可用一塊半導體經摻雜形成P區和N區。由於雜質的激活能量ΔE很小，在室溫下雜質差不多都電離成受主離子NA-和施主離子ND+。在PN區交界麵處因存在載流子的濃度差，故彼此要向對方擴散。設想在結形成的一瞬間，在N區的電子為多子，在P區的電子為少子，使電子由N區流入P區，電子與空穴相遇又要發生複合，這樣在原來是N區的結麵附近電子變得很少，剩下未經中和的施主離子ND+形成正的空間電荷。同樣，空穴由P區擴散到N區後，由不能運動的受主離子NA-形成負的空間電荷。在P區與N區界麵兩側產生不能移動的離子區（也稱耗盡區、空間電荷區、阻擋層），於是出現空間電偶層，形成內電場（稱內建電場）此電場對兩區多子的擴散有抵製作用，而對少子的漂移有幫助作用，直到擴散流等於漂移流時達到平衡，在界麵兩側建立起穩定的內建電場。 


P-N結能帶與接觸電勢差： 
    在熱平衡條件下，結區有統一的EF；在遠離結區的部位，EC、EF、Eν之間的關係與結形成前狀態相同。 
    從能帶圖看，N型、P型半導體單獨存在時，EFN與EFP有一定差值。當N型與P型兩者緊密接觸時，電子要從費米能級高的一方向費米能級低的一方流動，空穴流動的方向相反。同時產生內建電場，內建電場方向為從N區指向P區。在內建電場作用下，EFN將連同整個N區能帶一起下移，EFP將連同整個P區能帶一起上移，直至將費米能級拉平為EFN=EFP，載流子停止流動為止。在結區這時導帶與價帶則發生相應的彎曲，形成勢壘。勢壘高度等於N型、P型半導體單獨存在時費米能級之差： 


qUD=EFN-EFP   得   UD=(EFN-EFP)/q 
q：電子電量 
UD：接觸電勢差或內建電勢 


對於在耗盡區以外的狀態： 
UD=(KT/q)ln(NAND/ni2) 
NA、ND、ni：受主、施主、本征載流子濃度。 
可見UD與摻雜濃度有關。在一定溫度下，P-N結兩邊摻雜濃度越高，UD越大。 
禁帶寬的材料，ni較小，故UD也大。 
光照下的P-N結 


P-N結光電效應： 
    當P-N結受光照時，樣品對光子的本征吸收和非本征吸收都將產生光生載流子。但能引起光伏效應的隻能是本征吸收所激發的少數載流子。因P區產生的光生空穴，N區產生的光生電子屬多子，都被勢壘阻擋而不能過結。隻有P區的光生電子和N區的光生空穴和結區的電子空穴對（少子）擴散到結電場附近時能在內建電場作用下漂移過結。光生電子被拉向N區，光生空穴被拉向P區，即電子空穴對被內建電場分離。這導致在N區邊界附近有光生電子積累，在P區邊界附近有光生空穴積累。它們產生一個與熱平衡P-N結的內建電場方向相反的光生電場，其方向由P區指向N區。此電場使勢壘降低，其減小量即光生電勢差，P端正，N端負。於是有結電流由P區流向N區，其方向與光電流相反。 
    實際上，並非所產生的全部光生載流子都對光生電流有貢獻。設N區中空穴在壽命τp的時間內擴散距離為Lp，P區中電子在壽命τn的時間內擴散距離為Ln。Ln+Lp=L遠大於P-N結本身的寬度。故可以認為在結附近平均擴散距離L內所產生的光生載流子都對光電流有貢獻。而產生的位置距離結區超過L的電子空穴對，在擴散過程中將全部複合掉，對P-N結光電效應無貢獻。 


光照下的P-N結電流方程： 
    與熱平衡時比較，有光照時，P-N結內將產生一個附加電流（光電流）Ip，其方向與P-N結反向飽和電流I0相同，一般Ip≥I0。此時I=I0eqU/KT - (I0+Ip) 令Ip=SE，則 
I=I0eqU/KT - (I0+SE) 


開路電壓Uoc： 
光照下的P-N結外電路開路時P端對N端的電壓，即上述電流方程中I=0時的U值： 
0=I0eqU/KT - (I0+SE) 
Uoc=(KT/q)ln(SE+I0)/I0≈(KT/q)ln(SE/I0) 


短路電流Isc： 
光照下的P-N結，外電路短路時，從P端流出，經過外電路，從N端流入的電流稱為短路電流Isc。即上述電流方程中U=0時的I值，得Isc=SE。 
Uoc與Isc是光照下P-N結的兩個重要參數，在一定溫度下，Uoc與光照度E成對數關係，但最大值不超過接觸電勢差UD。弱光照下，Isc與E有線性關係。 
a)無光照時熱平衡態，NP型半導體有統一的費米能級，勢壘高度為qUD=EFN-EFP。 
b)穩定光照下P-N結外電路開路，由於光生載流子積累而出現光生電壓Uoc不再有統一費米能級，勢壘高度為q(UD-Uoc)。 
c)穩定光照下P-N結外電路短路，P-N結兩端無光生電壓，勢壘高度為qUD，光生電子空穴對被內建電場分離後流入外電路形成短路電流。 
d)有光照有負載，一部分光電流在負載上建立起電壓Uf，另一部分光電流被P-N結因正向偏壓引起的正向電流抵消，勢壘高度為q(UD-Uf)。